时间：2025/5/13 12:51:49
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IPP200N15N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的高压功率 MOSFET，属于 P沟道增强型器件。该芯片主要用于需要高效率和高性能的开关应用中，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。其耐压能力高达 1500V，同时具有低导通电阻和快速开关特性，能够满足工业和汽车领域对高可靠性和高效能的需求。
这款芯片采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的应用环境。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：200A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPP200N15N3 G 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：1500V 的漏源击穿电压使其能够在高电压环境下稳定运行。
2. 大电流处理能力：连续漏极电流可达 200A，适合高功率应用场景。
3. 低导通电阻：仅为 0.018Ω，降低了导通损耗，提升了整体效率。
4. 快速开关性能：得益于较低的栅极电荷，该器件可以实现快速的开关动作，减少开关损耗。
5. 高温适应性：支持 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准：环保设计，满足国际环保法规要求。
这些特性使 IPP200N15N3 G 成为高功率转换和控制应用的理想选择。
IPP200N15N3 G 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的开关电源和 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车及混合动力汽车中的电机驱动和逆变器模块。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 高压大电流负载开关，如焊接设备、UPS 系统等。
5. 高效功率因数校正（PFC）电路。
其卓越的性能和可靠性使其成为许多高功率电子系统的首选解决方案。
IPP200N15S3G, IRGP2004PbK
